أعلنت شركة سامسونغ، الرائدة عالمياً في تكنولوجيا صناعة الذواكر، عن البدء في إنتاج كميات كبيرة من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية بتقنية تصنيع 14 نانومتر، بالاعتماد على تقنية الأشعة فوق البنفسجية الشديدة (EUV).
وقالت الشركة إن هذه الذاكرة الجديدة هي أصغر ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية بتقنية 14 نانومتر.
بدأت سامسونغ بشحن ذواكر الوصول العشوائي الديناميكية المصنّعة باستخدام تقنية الأشعة فوق البنفسجية الشديدة منذ مارس 2020. وقامت الآن بزيادة طبقات الأشعة فوق البنفسجية (EUV) إلى 5 طبقات لتقديم واحدة من أكثر عمليات تصنيع ذواكر الوصول العشوائية الديناميكية تطوراً لوحدات ذواكر DDR5 الخاصة بها.
تقلل تقنية EUV من الخطوات المتكررة في عملية صناعة الأنماط المتعددة (Multi-Patterning)، وتحسين دقة رسم الأنماط، ما يحسّن من الأداء ويحقق عوائد أكبر، فضلاً عن تقليل كمية الوقت اللازم لعميلة التطوير.
وأفادت سامسونغ بأن تقنية التصنيع الجديدة ستزيد من كفاءة الذواكر بنسبة 20%، وتقلل من استخدام الطاقة بنحو 20%.
وتهدف ذواكر الوصول العشوائية الديناميكية من نوع DDR5 إلى تلبية متطلبات المهام التي تحتاج إلى الكثير من موارد الحاسوب ونطاق تردد عالٍ، وغيرها من تطبيقات الذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي وتحليل البيانات.
ووفقاً لسامسونغ، ستحقق ذواكر الوصول العشوائية الديناميكية التي تصنعها بتقنية 14 نانومتر أداءً مضاعفاً حتى 7200 ميغابايت في الثانية، وهذه سرعة كافية لمعالجة فيلمين فائقي الدقة بحجم 30 غيغابايت خلال ثانية واحدة.
وقالت الشركة إنها تخطط لتوسيع محفظة منتجات ذواكر الوصول العشوائي الديناميكية من نوع DDR5 (14 نانومتر) لدعم احتياجات تطبيقات مراكز البيانات والحواسيب الفائقة وخوادم الشركات. وتتوقع الشركة زيادة في كثافة رقائق ذواكر الوصول العشوائي الديناميكية المصنعة بتقنية 14 نانومتر، لتصل إلى 24 غيغابايت لتلبية متطلبات البيانات سريعة النمو بشكل أفضل.